林兰英：自力更生 敢于向世界水平冲击

    林兰英（1918-2003）中国著名半导体材料学家、物理学家、中国半导体材料科学与技术奠基人和开拓者。1955年获美国宾夕法尼亚大学固体物理学博士学位；1980年当选中国科学院院士。

　　林兰英放弃国外优越的科学实验条件和优厚的物质生活待遇，冲破重重阻挠，回到祖国，满腔热忱投入科学事业。面对简陋实验条件、微薄科研经费，她不灰心，而是充满信心。她说：“我们要有民族自尊心、爱国心、高度责任感，敢于向世界水平冲击”，“要有自力更生精神，有敢于走自己道路的勇气”。她和同事们同心同德、艰苦奋斗、锲而不舍、锐意进取，为我国研制成功锗、硅元素半导体单晶材料，锑化镓、锑化铟、砷化镓和磷化镓等化合物半导体材料作出了重要贡献，在开拓我国太空砷化镓单晶材料的实验与特性研究方面成绩卓著，被誉为“中国太空材料之母”。 

    林兰英胸怀大志，脚踏实地，坚忍不拔，在向科学进军的崎岖道路上，不畏艰难险阻，奋勇当先。她曾说：“我们科学工作者，不怕起点低，只要有信心、有毅力去研究，以科学的态度对待科学的问题，一定能如愿以偿，做出高水平的研究成果来。”在她的指导和组织下，她和同事们创造出许多个“中国第一”：第一根硅单晶、第一根无位错硅单晶、第一台高压单晶炉、第一根磷化镓（GaP）单晶、第一片单异质SOI（绝缘衬底上的硅）结外延材料和第一片双异质SOI外延材料等。她指导的在太空卫星上从溶体中生长出砷化镓（GaAs）单晶，在世界上首先取得成功。她指导的高纯GaAs液相外延和气相外延材料研究，达到国际先进水平。她还组织研制出世界第一台双离子束外延设备。林兰英院士还致力于将科学技术转化为现实的生产力，为半导体材料研究成果的产业化不辞辛劳，多方奔波。林兰英这三个字永远与我国科学技术的发展历史联系在一起。　　

    林兰英十分重视培养年轻人爱祖国、爱人民、爱科学的思想；重视培养年轻人的战略思维；她总是倡导学术自由，热情鼓励、大力支持年轻人大胆创新；总是身体力行，以严谨求实、一丝不苟的行为影响和教育年轻人。